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Lithographie lithographie Vektor Und Grafiken

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Immersionslithografie: Linien-Icon, das zeigt, wie DUV-Scanner (Deep Ultraviolet) kleinere Chipstrukturen auflösen, indem sie den Spalt unter der Optik mit Flüssigkeit füllen. Paralleles 193-nm-Licht tritt von oben ein, durchläuft eine große Projektionslinse und gelangt zu einem Endelement, dessen flache Seite mit hochreinem Wasser in Kontakt steht.
Immersionslithografie: Linien-Icon, das zeigt, wie DUV-Scanner (Deep Ultraviolet) kleinere Chipstrukturen auflösen, indem sie den Spalt unter der Optik mit Flüssigkeit füllen. Paralleles 193-nm-Licht tritt von oben ein, durchläuft eine große Projektionslinse und gelangt zu einem Endelement, dessen flache Seite mit hochreinem Wasser in Kontakt steht.

Immersionslithografie: Wasser füllt den Spalt zwischen der letzten Linse und dem Wafer, um die 193-nm-Belichtung zu schärfen, Lini. Immersionslithografie: Linien-Icon, das zeigt, wie DUV-Scanner (Deep Ultraviolet) kleinere Chipstrukturen auflösen, indem sie den Spalt unter der Optik mit Flüssigkeit füllen. Paralleles 193-nm-Licht tritt von oben ein, durchläuft eine große Projektionslinse und gelangt zu einem Endelement, dessen flache Seite mit hochreinem Wasser in Kontakt steht

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Linien-Art-Icon der extremultravioletten Lithografie. Fallende Zinn-Tröpfchen speisen einen Plasma-Ausbruch, der 13,5 nm Licht emittiert, dargestellt als dicht gepackte Wellen. Da Luft und Glas diese Wellenlänge absorbieren, durchläuft der Strahl keine Linse: Er wird von einer Multilayer-Maske mit absorbierenden Merkmalen darunter reflektiert, dann von einem konkaven Spiegel und schließlich erreicht er einen Wafer.
Linien-Art-Icon der extremultravioletten Lithografie. Fallende Zinn-Tröpfchen speisen einen Plasma-Ausbruch, der 13,5 nm Licht emittiert, dargestellt als dicht gepackte Wellen. Da Luft und Glas diese Wellenlänge absorbieren, durchläuft der Strahl keine Linse: Er wird von einer Multilayer-Maske mit absorbierenden Merkmalen darunter reflektiert, dann von einem konkaven Spiegel und schließlich erreicht er einen Wafer.

EUV-Lithografie – Extremultraviolettes Licht wird von einer reflektierenden Maske und einem gekrümmten Spiegel auf den Wafer refle. Linien-Art-Icon der extremultravioletten Lithografie. Fallende Zinn-Tröpfchen speisen einen Plasma-Ausbruch, der 13,5 nm Licht emittiert, dargestellt als dicht gepackte Wellen. Da Luft und Glas diese Wellenlänge absorbieren, durchläuft der Strahl keine Linse: Er wird von einer Multilayer-Maske mit absorbierenden Merkmalen darunter reflektiert, dann von einem konkaven Spiegel und schließlich erreicht er einen Wafer.

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